液晶拼接墙生产厂家

产品参数：

 外观尺寸宽*高*深（mm): 1213.5*684.3*122
 屏幕说明: 三星LED背光液晶屏 
 分辨率: 3840*2160 
 亮度: 500cd/㎡ 
 拼接缝隙: 1.8mm
 屏幕比例: 16:9 
 对比度: 3000:1 
 控制信号: DP环通 
 拼接组合: 任意行M*任意列N(M/N=15) 
 菜单语言: 中英文（多种语言可选） 
 色彩: 16.7M 
 可视角度: 178度/178度(H\V) 
 整机功耗: 270W 
 响应时间: 6ms 
 使用温/湿度： 0℃/60℃/10%-95% 
 安装方式： 落地式、壁挂式、前维护式、吊装式 
 遥控： 带线控制键盘
 VGA输入接口： 1路D-sub15,支持1920*1200/60HZ及向下兼容 
 HDMI输入接口： 1路HDMI,支持3840*2160/60HZ及向下兼容 
 DVI输入接口： 1路DVI,支持3840*2160/60HZ及向下兼容 
使用寿命: 80000小时 
 画质特点： 液晶拼接屏采用专业集成芯片，3D高画质图像数字处理技术，工业级 液晶面板设计，可任意弧型拼接组合模式，具有独特的宽视 角及Zui新色彩校正技术， LED背光源高鲜艳色彩度，节能 环保超低运行设计，兼容多信号模式，防辐射，防电子场干 扰，中英文操作模式，专业防尘防热设计。

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1. 尺寸缩小芯片尺寸缩小

表面上看，就是版图设计的问题，似乎只要根据需要设计更小的版图就能解决。但是，芯片尺寸的缩小是否能无限的进行下去呢？答案是否定的。有如下几个原因制约着芯片尺寸缩小的程度：

（1）封装加工的限制。封装加工过程中，两个因素限制了芯片尺寸的缩小。一是吸嘴的限制。固晶需要吸取芯片，芯片短边尺寸必须大于吸嘴内径。目前有性价比的吸嘴内径为80um左右。二是焊线的限制。首先是焊线盘即芯片电极必须足够大，否则焊线可靠性不能保证，业内报道Zui小电极直径45um；其次是电极之间的间距必须足够大，否则两次焊线间必然会相互干扰。

（2）芯片加工的限制。芯片加工过程中，也有两方面的限制。其一是版图布局的限制。除了上述封装端的限制，电极大小，电极间距有要求外，电极与MESA距离、划道宽度、不同层的边界线间距等都有其限制，芯片的电流特性、SD工艺能力、光刻的加工能力决定了具体限制的范围。通常，P电极到芯片边缘的Zui小距离会限定在14μm以上。

其二是划裂加工能力的限制。SD划片+机械裂片工艺都有极限，芯片尺寸过小可能无法裂片。当晶圆片直径从2英寸增加到4英寸、或未来增加到6英寸时，划片裂片的难度是随之增加的，也就是说，可加工的芯片尺寸将随之增大。以4寸片为例，如果芯片短边长度小于90μm，长宽比大于1.5:1的，良率的损失将显著增加。

基于上述原因，笔者大胆预测，芯片尺寸缩小到17mil2后，芯片设计和工艺加工能力接近极限，基本再无缩小空间，除非芯片技术方案有大的突破。

2. 亮度提升

亮度提升是芯片端永恒的主题。芯片厂通过外延程式优化提升内量子效应，通过芯片结构调整提升外量子效应。

不过，一方面芯片尺寸缩小必然导致发光区面积缩小，芯片亮度下降。另一方面，小间距显示屏的点间距缩小，对单芯片亮度需求有下降。两者之间是存在互补的关系，但要留有底线。目前芯片端为了降低成本，主要是在结构上做减法，这通常要付出亮度降低的代价，因此，如何权衡取舍是业者要注意的问题。

3. 小电流下的一致性

所谓的小电流，是相对常规户内、户外芯片试用的电流来说的。如下图所示的芯片I-V曲线，常规户内、户外芯片工作于线性工作区，电流较大。而小间距LED芯片需要工作于靠近0点的非线性工作区，电流偏小。

在非线性工作区，LED芯片受半导体开关阈值影响，芯片间的差异更明显。对大批量芯片进行亮度和波长的离散性的分析，容易看到非线性工作区的离散性远大于线性工作区。这是目前芯片端的固有挑战。

应对这个问题的办法首先是外延方向的优化，以降低线性工作区下限为主；其次是芯片分光上的优化，将不同特性芯片区分开来。

4. 寄生电容一致性

目前芯片端没有条件直接测量芯片的电容特性。电容特性与常规测量项目之间的关系尚不明朗，有待业者去总结。芯片端优化的方向一是外延上调整，一是电性分档上的细化，但成本很高，不推荐。

5. 可靠性

芯片端可靠性可以用芯片封装和老化过程中的各项参数来描述。但总的说来，芯片上屏以后的可靠性的影响因素，重点在ESD和IR两项。

ESD是指抗静电能力。据IC行业报道，50%以上芯片的失效与ESD有关。要提高芯片可靠性，必须提升ESD能力。但是，在相同外延片，相同芯片结构的条件下，芯片尺寸变小必然带来ESD能力的削弱。这是与电流密度和芯片电容特性直接相关的，无法抗拒。

IR是指反向漏电，通常是在固定反向电压下测量芯片的反向电流值。IR反映的是芯片内部缺陷的数量。IR值越大，则说明芯片内部缺陷越多。

要提升ESD能力和IR表现，必须在外延结构和芯片结构方面做出更多优化。在芯片分档时，通过严格的分档标准，可以有效的把ESD能力和IR表现较弱的芯片剔除掉，从而提升芯片上屏后的可靠性。

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